고객센터

(사진 출처 = 스포츠서울 / SK하이닉스)

SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다.

이는 2023년 6월에 양산한 238단 제품 이후 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파한 것이다. 회사는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급할 예정이다.

이번 제품 개발 과정에서 SK하이닉스는 생산 효율이 높은 '3-플러그(Plug)' 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬 보정 기술을 도입했다. 또한, 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.

321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상되었으며, 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.

최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 "당사는 300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"며 "이를 통해 당사는 HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택 AI 메모리 프로바이더'로 도약할 것"이라고 말했다.

이번 321단 낸드 개발은 SK하이닉스가 2023년 8월 미국 산타클라라에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시한 이후의 성과다. 당시 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획을 밝혔다.

SK하이닉스의 이번 321단 낸드 개발은 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 최초의 사례로, 기술 한계를 돌파하며 시장을 주도하는 행보로 평가받고 있다.